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如何獲得滿意的圖像?

2023-07-10  瀏覽量:307

 

SEM的參數(shù)設(shè)置

 

前言

 

除了選擇合適的探測器外,SEM可以設(shè)置或變換的參數(shù)很多,這是雙刃劍——帶來便利性的同時(shí)也帶來了復(fù)雜性,甚至讓人無從下手。需要拿好這把劍,為我所用。本文總結(jié)各種常用參數(shù)對圖像的影響,并給出建議,以供我們依樣品和用途進(jìn)行選用。

 

首先闡述設(shè)置參數(shù)在成像中的重要性,然后分別從加速電壓、束斑和束流、工作距離等方面出發(fā),給出建議。

 

1 成像、信號(hào)和參數(shù)的關(guān)系

 

成像由物到像,又由圖像襯度揭示樣品特征。電子與樣品相互作用后,樣品的微觀特征決定了信號(hào)的差異,接收信號(hào)后圖像反映出相應(yīng)的特征。以樣品和信號(hào)特征為中心,設(shè)置參數(shù)影響了作用時(shí)的電子光學(xué)條件,探測器影響了探測條件和圖像襯度。所以,在電鏡內(nèi),樣品和設(shè)置參數(shù)決定了信號(hào)的特征,如產(chǎn)額和分布等差別;探測器接收信號(hào),在顯示器上反映出差別,溝通了電鏡內(nèi)外、微觀和宏觀。

 

成像中各要素間的關(guān)系

圖1 成像中各要素間的關(guān)系

 

也是如此,為獲得滿意的圖像,設(shè)置參數(shù)和探測器不可或缺,不可不察。探測器的選擇可以參見專欄17和18,下邊來講一下設(shè)置參數(shù)的策略。

 

最首要的是明確觀察目的或側(cè)重點(diǎn),分辨率、信噪比、景深、反映何種襯度、是否需要進(jìn)行能譜分析等等。其次根據(jù)操作水平,如新手首先需要滿足圖片的信噪比,不用追求分辨率,可以設(shè)置中等加速電壓(5~15keV)、大束流的參數(shù)。

 

需要注意的是,很多選擇要根據(jù)多個(gè)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,所以不能只關(guān)注于單一個(gè)參數(shù),而要明白它們之間辯證統(tǒng)一的關(guān)系。這些參數(shù)以及它們的關(guān)系可以回顧專欄6、7和8。

 

2 加速電壓

 

加速電壓決定了電子束動(dòng)能的大小,無疑是最重要的設(shè)置參數(shù)。從電子光學(xué)考慮,它決定了電子束亮度及亮度方程中其他參數(shù)的關(guān)系,也決定了色差和最小束斑;從電子與樣品相互作用考慮,它決定了作用區(qū)的深度、各種信號(hào)類型的比例、不同信息的反映,以及荷電等假象;從圖像質(zhì)量考慮,直接或間接地決定了信噪比和襯度的可見性;從能譜分析考慮,它決定了過壓比、空間分辨率和峰背比等一系列參數(shù);從EBSD考慮,它決定了空間分辨率、磷屏效率和花樣質(zhì)量等。

 

對于鎢燈絲電鏡而言,低電壓受制于電子光學(xué)亮度而優(yōu)選較高加速電壓,而對于場發(fā)射電鏡,得益于更高的電子光學(xué)亮度和對低加速電壓性能的優(yōu)化,它適用的加速電壓范圍更廣,在表征時(shí)帶來更多的適用性和靈活性。

 

加速電壓的選擇,首先明確樣品的導(dǎo)電性。導(dǎo)電樣品對加速電壓的要求不太嚴(yán)格;對于不導(dǎo)電也不宜鍍膜的樣品,一般應(yīng)設(shè)置在低加速電壓下為宜;但是對于導(dǎo)體上不導(dǎo)電的納米材料,稍高的加速電壓也可嘗試。當(dāng)然對于初學(xué)者而言,大部分樣品鍍導(dǎo)電膜更為簡單、容易。

 

其次,明確觀察目的和側(cè)重的方向。有時(shí)需要很高分辨率,如果是導(dǎo)電樣品可以使用中等加速電壓(15 kV左右),利用其束斑小、電子源亮度高的優(yōu)勢再結(jié)合合適的工作距離;如果是薄樣品或分散于薄樣品上的顆粒,可以使用高加速電壓(如30 kV),使用STEM探測器;如果樣品不導(dǎo)電又需要高分辨,選用低電壓加低工作距離。若觀察表面細(xì)節(jié),可選擇低加速電壓,以避免中高加速電壓下較大的電子束作用區(qū)。反之如果需要了解深層信息(如觀察包覆材料或者核殼結(jié)構(gòu)),可適當(dāng)提高加速電壓。有時(shí)樣品表面存在污染,低加速電壓對表面極為敏感,污染一覽無余,但是高加速電壓下卻不明顯。又或者需要看清邊緣或者測量尺寸,中高加速電壓下邊緣較亮甚至?xí)斐杉?xì)節(jié)損失,那么低加速電壓亦可考慮。

 

其次,考慮各種加速電壓下二次電子和背散射電子的產(chǎn)額,以及想獲得何種襯度。比如關(guān)心成分襯度,在低加速電壓下某些元素的襯度不隨元素單調(diào)變化,這時(shí)可使用通常加速電壓。對于電位襯度,如果表面干凈無污染通常低加速電壓效果較好。對于取向襯度,新鮮表面(如離子研磨或FIB加工),低電壓下襯度更為明顯;如果表面有氧化層等,可以增加加速電壓。

 

顯微分析如能譜分析和EBSD表征,大體而言,偏向較高的加速電壓。

 

圖2總結(jié)了掃描電鏡從最高加速電壓(一般是30 kV)到最低加速電壓(一般小于1 kV),對各個(gè)因素有利和不利的評價(jià)。加速電壓的選擇要根據(jù)使用目的和樣品情況,利用有利的因素,補(bǔ)償不利的因素,合理設(shè)置相關(guān)的條件以獲得滿意的圖像。

 

不同加速電壓對成像影響的評價(jià)

圖2 不同加速電壓對成像影響的評價(jià)

(紅色為不利,橙色為有利)

 

3 束流束斑

 

束流是強(qiáng)度值,束斑是尺度值,自然也非常重要。束流影響了信號(hào)量、劑量、圖像的信噪比和襯度的可見性,而束斑部分地決定了可探測的微觀尺度。形象地說,可以將電子束視為一根探針,束斑對應(yīng)探針的尺寸,而束流對應(yīng)探針的強(qiáng)度。根據(jù)亮度方程(專欄8),在加速電壓固定時(shí),束流增加,束斑會(huì)以平方倍增加,所以束流和束斑通常是同步變化的,在此一并討論。

 

在中低倍時(shí),亮度方程中束流和束斑的矛盾并不明顯,但是在高倍時(shí),這種矛盾會(huì)變得非常明顯。小束流小束斑利于高分辨成像,但是信噪比相對差;大束流大束斑,信噪比好,但是易損傷敏感樣品,高倍下圖像可能會(huì)漏掉高分辨細(xì)節(jié);大束流小束斑,需要增加電子源亮度(增加加速電壓)和增加會(huì)聚角(近工作距離),但是增加加速電壓也增加了電子作用區(qū)。所以選擇束斑和束流時(shí)應(yīng)該考慮觀察目的、放大倍數(shù)、加速電壓和樣品類型等。

 

在中低倍時(shí),亮度方程中束流和束斑的矛盾并不明顯,但是在高倍時(shí),這種矛盾會(huì)變得非常明顯。小束流小束斑利于高分辨成像,但是信噪比相對差;大束流大束斑,信噪比好,但是易損傷敏感樣品,高倍下圖像可能會(huì)漏掉高分辨細(xì)節(jié);大束流小束斑,需要增加電子源亮度(增加加速電壓)和增加會(huì)聚角(近工作距離),但是增加加速電壓也增加了電子作用區(qū)。所以選擇束斑和束流時(shí)應(yīng)該考慮觀察目的、放大倍數(shù)、加速電壓和樣品類型等。

 

圖3總結(jié)了束流和束斑對成像和顯微分析的影響。可見一些相互矛盾的方面,比如高倍時(shí),信噪比和可見性與分辨率的矛盾。有時(shí)為了得兼兩方面,對策略提出了要求,需要增加探測效率和掃描時(shí)間,也對電鏡提出了要求——更好的電子源、鏡筒和探測器。

 

束斑束流對成像影響的評價(jià)

圖3 束斑束流對成像影響的評價(jià)

(紅色為不利,橙色為有利)

 

束流和束斑的選擇,可以通過控制電子源、光闌孔徑和第一聚光鏡強(qiáng)度等措施來實(shí)現(xiàn)。許多電鏡顯示值跟測量值不一致,又或者不顯示束流,這時(shí)可以使用法拉第杯測量真實(shí)束流。束斑測量則有一定難度。

 

光闌與工作距離共同決定了會(huì)聚角,見圖4所示的幾何關(guān)系。根據(jù)亮度方程,當(dāng)加速電壓固定時(shí),會(huì)聚角控制束流跟束斑的關(guān)系,隨之影響了景深、信噪比和分辨率。

 

會(huì)聚角跟光闌空間和工作距離的關(guān)系

圖4 會(huì)聚角跟光闌空間和工作距離的關(guān)系

 

下邊分別討論光闌與工作距離。

 

4 光闌孔徑

 

光闌一般有幾種孔徑可供選擇,一般在微米量級范圍。一般較小的孔徑配合遠(yuǎn)工作距離可實(shí)現(xiàn)大景深,或者配合低工作距離實(shí)現(xiàn)較高的分辨率。隨著光闌孔徑的擴(kuò)大,束斑和束流都隨之增大,景深變差,但適用于EDS和EBSD分析。

 

圖5總結(jié)了其他條件一定時(shí),物鏡光闌孔徑對各種成像效果的影響。

 

光闌孔徑對成像和分析影響的評價(jià)

圖5 光闌孔徑對成像和分析影響的評價(jià)

(紅色為不利,橙色為有利)

 

需要注意的是,為了得到更小的束斑,會(huì)聚角存在最佳值。這說明單調(diào)靠小孔徑光闌未必能得到高分辨率的圖像,還需配合工作距離實(shí)現(xiàn)。此外還要考慮圖像的信噪比,這時(shí)要考慮束流的大小。所以,單純說小光闌對應(yīng)高分辨率是片面的。

 

5 工作距離

 

對會(huì)聚角和會(huì)聚效果的調(diào)節(jié),除了設(shè)置不同的光闌孔徑,通過升降樣品臺(tái)改變工作距離也是較為常用的操作。不僅于此,工作距離還影響到不同探測器的接收角度范圍和接收效率、物鏡電場/磁場的分布以及顯微分析的效率,所以是非常重要的參數(shù)。圖6為其他條件一定的情況下,工作距離的變化對各種因素的影響。

 

工作距離對成像影響的評價(jià)

圖6 工作距離對成像影響的評價(jià)

(紅色為不利,橙色為有利)

 

當(dāng)加速電壓和光闌孔徑不變,相對于遠(yuǎn)工作距離,近工作距離有以下優(yōu)點(diǎn):電子源的縮小倍率更大,同時(shí)降低了像差,于是能得到更小的束斑;可得到稍高的會(huì)聚角,獲得小束斑的同時(shí)束流不至于太低;還利于提高物鏡內(nèi)探測器的接收效率。這些都保障了高分辨成像。但是很低的工作距離存在風(fēng)險(xiǎn),調(diào)整時(shí)應(yīng)謹(jǐn)慎。

 

遠(yuǎn)工作距離,對高分辨成像不利,但是可以獲得大視場。加上會(huì)聚角小,可以實(shí)現(xiàn)更好的景深。此消彼長,物鏡內(nèi)探測器效率降低而倉內(nèi)探測器信號(hào)量升高,倉內(nèi)探測器接收到的SE1和SE2的比例也增加。

 

工作距離的改變除了改變?nèi)肷涫臅?huì)聚角外,還會(huì)改變收集信號(hào)電子的角度和探測效率。比如探測器的探測角度隨工作距離變化,襯度類型也可能會(huì)發(fā)生一些改變。大體上,越近的工作距離,探測器越傾向收集低角度信號(hào)。這些內(nèi)容可見專欄17。

 

對于顯微分析,為取得較滿意的計(jì)數(shù)率和分析效果,對工作距離的要求跟成像不完全一致。EDS往往要求工作距離設(shè)置在5-10 mm范圍(依廠家和設(shè)置)。EBSD可能需要工作距離再遠(yuǎn)一些(通常大于12 mm),TKD則需要稍近一些(如5 mm)。日常使用時(shí),碰到高分辨成像的情形相對少,故設(shè)置在中間的工作距離的情況較多,得兼成像與EDS,提高測試的效率。

 

除了以上參數(shù)設(shè)置,在拍攝時(shí)還需要選擇拍攝的參數(shù),這部分內(nèi)容詳見專欄6。

 

不得不說,在日常的應(yīng)用中,電鏡型號(hào)和配置的多樣性,樣品的復(fù)雜性和測試目的的復(fù)雜性會(huì)難以將所有規(guī)律進(jìn)行概況,也難免以偏概全。對于我們操作者而言,掌握各參數(shù)間的聯(lián)系并理解背后蘊(yùn)含的原理,以發(fā)揮電鏡更全面的性能,得到理想的效果。

 

成像不總是一帆風(fēng)順,也會(huì)出現(xiàn)假象,尤其是當(dāng)在高加速電壓、高倍率、大束流、長駐留時(shí)間時(shí)。下一欄我們談一下成像時(shí)的一些假象——荷電、損傷、積碳和漂移。

 

精彩回顧

 

專欄18:如何選擇SEN探測器-2

專欄17:如何選擇SEN探測器-1

專欄16:SEM圖像解讀-3

專欄15:SEM圖像解讀-2

專欄14:SEM圖像解讀-1

專欄13:掃描電鏡的眼睛-2

專欄12:掃描電鏡的眼睛

專欄11:掃描電鏡高手打怪的必經(jīng)之路

專欄10:如何拍出更精準(zhǔn)的樣品原貌圖?

專欄9:為什么你拍的SEM圖像不清晰?

專欄8:掃描電鏡高手進(jìn)階之路

專欄7:手把手教你操作掃描電鏡

專欄6:如何拍出高清圖像

專欄5:SEM的信號(hào)3

專欄4:SEM的信號(hào)2

專欄3:SEM的信號(hào)1

專欄2:SEM的工作原理

專欄1:掃描電鏡概述

 

參考文獻(xiàn)

 

(1) 施明哲. 掃描電鏡和能譜儀的原理與實(shí)用分析技術(shù)[M]. 電子工業(yè)出版社, 2015.

(2) 張大同. 掃描電鏡與能譜儀分析技術(shù)[M]. 華南理工大學(xué)出版社, 2009.

(3) 高尚,楊振英,馬清,等. 掃描電鏡與顯微分析的原理、技術(shù)及進(jìn)展[M]. 廣州: 華南理工大學(xué)出版社,2021.

(4) Reimer L. Scanning Electron Microscopy — Physics of Image Formation and Microanalysis, 2nd [M]. Springer, 1998.

(5) Goldstein J, Newbury, D E, et al. Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis, 3rd[M]. Springer, 2003.

(6) Goldstein J, Newbury, D E, et al. Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis, 4th[M]. Springer, 2018.

(7) Ul-Hamid, A. A beginners' guide to scanning electron microscopy[M]. Springer, 2018.

(8) Suga M, Asahina S, Sakuda Y, et al. Recent progress in scanning electron microscopy for the characterization of fine structural details of nano materials[J]. Progress in Solid State Chemistry, 2014, 42(1): 1-21.

(9) Xing Q. Information or resolution: Which is required from an SEM to study bulk inorganic materials?[J]. Scanning, 2016, 38(6): 864-879.

(10) Liu Zheng, Fujita Nobuhisa, Miyasaka Keiichi,et al. A review of fine structures of nanoporous materials as evidenced by microscopic methods[J]. Microscopy, 2013(1):109-146

 

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