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AEC-Q測(cè)試

 

AEC-Q100 AEC-Q101 AEC-Q102 AEC-Q103 AEC-Q104 AEC-Q200

 

AEC-Q104測(cè)試主要針對(duì)車用多芯片模塊可靠性測(cè)試,是AEC-Q系列家族成員中較新的汽車電子規(guī)范。

 

AEC-Q104上,為了依據(jù)MCM在汽車上實(shí)際使用環(huán)境,為復(fù)合式的環(huán)境,因此增加順序試驗(yàn),驗(yàn)證通過(guò)的難度變高。例如,必須先執(zhí)行完High Temp Operating Life(HTOL),才能做Thermal Shock(TS),顛倒過(guò)來(lái)就不行。AEC-Q104中針對(duì)MCM,增加H系列的測(cè)項(xiàng);此外,針對(duì)零件本身的可靠性測(cè)試(Component Level Reliability),也增加了Thermal Shock(TS)及外觀檢視離子遷移(VISM)。

 

AEC-Q104規(guī)范中,共分為A-H八大系列。其中,一大原則,在于MCM上使用的所有組件,包括電阻電容電感等被動(dòng)組件、二極管離散組件、以及IC本身,在組合前若有通過(guò)AEC-Q100、AEC-Q101或AEC-Q200,MCM產(chǎn)品只需進(jìn)行AEC-Q104H內(nèi)僅7項(xiàng)的測(cè)試,包括4項(xiàng)可靠性測(cè)試:TCT(溫度循環(huán))、Drop(落下)、LowTemperature Storage Life(LTSL)、Start Up &Temperature Steps(STEP);以及3項(xiàng)失效類檢驗(yàn):X-Ray、Acoustic Microscopy(AM)、Destructive Physical(DPA);若MCM上的組件未先通過(guò)AEC-Q100、AEC-Q101與AEC-Q200,那必須從AEC-Q104的A-H八大測(cè)項(xiàng)共49項(xiàng)目中,依據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用,決定驗(yàn)證項(xiàng)目,驗(yàn)證項(xiàng)目會(huì)變得比較多。

 

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測(cè)試流程

 

AEC-Q測(cè)試
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序號(hào) 測(cè)試項(xiàng)目 縮寫 檢測(cè)方法
A組 加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試
A1 預(yù)處理 PC J-STD-020
JESD22-A113
A2 有偏溫濕度或有偏高加速應(yīng)力測(cè)試 THB/HAST JESD22-A101
JESD22-A110
A3 高壓或無(wú)偏高加速應(yīng)力測(cè)試或無(wú)偏溫濕度測(cè)試 AC/UHST/TH JESD22-A102
JESD22-A118
JESD22-A101
A4 溫度循環(huán) TC JESD22-A104
A5 功率負(fù)載溫度循環(huán) PTC JESD22-A105
A6 高溫儲(chǔ)存壽命測(cè)試 HSL JESD22-A103
B組 加速壽命模擬測(cè)試
B1 高溫工作壽命 HTOL JEDEC JESD22-A108
B2 早期壽命失效率 ELFR 附錄2
B3 NVM擦寫次數(shù),數(shù)據(jù)保持和工作壽命 EDR AEC Q100-005
C組 封裝組合完整性測(cè)試
C1 綁線剪切 WBS AEC Q100-001
AEC Q003
C2 綁線拉力 WBP MIL-STD 883 Method 2011
AEC Q003
C3 可焊性 SD JESD22 J-STD-002
C4 物理尺寸 PD JESD22-B100
JESD22-B108
C5 錫球剪切 SBS JESD22-B117
C6 引腳完整性 LI JESD22-B105
C7 X-RAY X-RAY /
C8 聲學(xué)顯微鏡 AM /
D組 芯片晶元可靠度測(cè)試
D1 電遷移 EM JEDEC JEP001
D2 經(jīng)時(shí)介質(zhì)擊穿 TDDB JEDEC JEP001
D3 熱載流子注入效應(yīng) HCI JEDEC JEP001
D4 負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性 NBTI JEDEC JEP001
D5 應(yīng)力遷移 SM JEDEC JEP001
E組 電氣特性確認(rèn)測(cè)試
E1 應(yīng)力測(cè)試前后功能參數(shù)測(cè)試 TEST 規(guī)格書
E2 靜電放電(HBM) HBM AEC-Q100-002
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
E3 靜電放電(CDM) CDM AEC-Q100-011
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002
E4 閂鎖效應(yīng) LU AEC-Q100-004
JESD78
E5 電分配 ED AEC-Q100-009
E6 故障等級(jí) FG AEC-Q100-007
E7 特性描述 CHAR AEC-Q003
E8 電磁兼容 EMC SAE JI752/3 RE
E9 軟誤差率 SER JESD89-1
JESD89-2
JESD89-3
E10 無(wú)鉛(Pb) LF AEC-Q005
F組 缺陷篩選測(cè)試
F1 過(guò)程平均測(cè)試 PAT AEC-Q001
F2 統(tǒng)計(jì)良率分析 SBA AEC-Q002
G組 腔體封裝完整性測(cè)試
G1 機(jī)械沖擊 MS JESD22-B110
G2 變頻振動(dòng) VFV JESD22-B103
G3 恒加速 CA MIL-STD-883 Method2001
G4 粗細(xì)氣漏測(cè)試 GFL MIL-STD-883 Method1014
G5 跌落 DROP JESD22-B110
G6 蓋板扭力測(cè)試 LT MIL-STD-883 Method2024
G7 芯片剪切 DS MIL-STD-883 Method2019
G8 內(nèi)部水汽含量測(cè)試 IWV MIL-STD-883 Method1018
H組 模組特殊要求
H1 板階可靠性 BLR IPC-9701
H2 低溫儲(chǔ)存壽命測(cè)試 LTSL JESD22-A119
H3 啟動(dòng)和溫度沖擊 STEP ISO 16750-4
H4 跌落 DROP JESD22-B111
H5 破壞性物理分析 DPA MIL-STD-158
H6 X-RAY X-RAY /
H7 聲學(xué)顯微鏡 AM /


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