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深度剖析關(guān)鍵電子元器件電解電容內(nèi)部故障隱患

2024-08-19  瀏覽量:310

 

深度剖析關(guān)鍵電子元器件電解電容內(nèi)部故障隱患

 

 

電解電容在電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用,它們主要用于直流電源電路,提供大容量、高耐壓的電容器,以滿足各種應(yīng)用場景的需求,電解電容失效可能造成極大危害。

 

1、電路失效

我們收到從市場退回的PCB板,在波峰焊接后,個別PTH孔出現(xiàn)上錫不良現(xiàn)象,PCB表面處理方式為OSP。為了精準判定失效原因,我們將采用專業(yè)且詳盡的檢測分析方法,查找其失效原因。

2、安全隱患

電容電解失效可能引發(fā)高電壓、高電流,威脅設(shè)備安全甚至導(dǎo)致火,甚至可能導(dǎo)致漏電流增加,觸電風險上升。

3、性能下降與能耗增加

電氣參數(shù)惡化致性能下降,同時增加額外功耗,導(dǎo)致能耗上升,影響設(shè)備效率與壽命。

4、維修成本增加

電解電容失效后,需要對設(shè)備進行維修或更換電容,這將增加維修成本和時間。特別是在一些關(guān)鍵設(shè)備中,電解電容的失效可能導(dǎo)致整個設(shè)備無法工作,對生產(chǎn)或運營造成重大影響。

 

近期我們發(fā)現(xiàn) 4pcs NG 電解電容底部都有鼓包的現(xiàn)象,然而電容鼓包位置未發(fā)現(xiàn)明顯的電解液殘留的痕跡,橡膠塞部位正常未發(fā)現(xiàn)有明顯的抬起等異?,F(xiàn)象。為了精準判定失效原因,我們將采用專業(yè)且詳盡的檢測分析方法,綜合評估失效的條件、機制及影響因素。

 

測試分析

 

1 失效現(xiàn)象復(fù)現(xiàn)

 

對NG電解電容4ps進行容值,損耗測試。測試結(jié)果顯示:NG1的容值明顯低于功能OK1電容,損耗值也明顯偏高,電容容值表現(xiàn)為大幅降低。

 

 

2 無損透視檢查

 

利用無損透視檢查,確認NG1內(nèi)部結(jié)構(gòu)是否存在異常。檢查結(jié)果顯示:內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整,卷繞良好,內(nèi)部未發(fā)現(xiàn)明顯燒毀等異?,F(xiàn)象。

 

 

3 解剖分析

 

解剖分析發(fā)現(xiàn)NG1電容電解內(nèi)部電解液干枯,這是導(dǎo)致電容參數(shù)漂移的直接原因;芯子呈現(xiàn)焦黃色且發(fā)現(xiàn)多處黑點,電解紙與陰陽極箔粘結(jié)一起,無法分離,說明電容內(nèi)部溫度較高;芯子內(nèi)部未發(fā)現(xiàn)明顯的熔融燒現(xiàn)象,說明電容失效與電應(yīng)力燒毀無直接相關(guān)性。

 

 

4 陰陽離子分析

 

對NG1、OK1進行陰陽離子分析,發(fā)現(xiàn):NG1和OK1都發(fā)現(xiàn)有Cl-離子,Cl-離子為腐蝕性陰離子,電容內(nèi)部會發(fā)生以下化學(xué)反應(yīng)。在長時間通電使用后,電容內(nèi)部發(fā)生化學(xué)反應(yīng),導(dǎo)致電容內(nèi)部溫度升高,內(nèi)部壓力過大,最終導(dǎo)致電容發(fā)生鼓包及參數(shù)漂移。NG1內(nèi)部未檢測到PO43-,進一步說明內(nèi)部可能發(fā)生了相關(guān)的化學(xué)反應(yīng)。

 

 

5 切片分析

 

對NG1的陽極箔、OK1的陽極箔進行切片分析,確認失效樣品內(nèi)部是否發(fā)生反應(yīng)。

結(jié)果說明:電容失效與電應(yīng)力無直接相關(guān)性。陽極箔表面發(fā)現(xiàn)裂紋,裂紋位置及陽極箔表面都發(fā)現(xiàn)金屬氧化物,說明內(nèi)部發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)。金屬化合物及裂紋延伸到Al層表面,這會導(dǎo)致電容內(nèi)部漏電流增大及電容內(nèi)部溫度身高,這與電容失效現(xiàn)象相吻合。

 

 

6 老化試驗

 

由于電容是在產(chǎn)品中使用一年左右失效,為確認電容在使用一段時間后,是否會出現(xiàn)容值減少的現(xiàn)象。參考GB/T 5993-2003 ,GB/T 2693-2001,取3pcs同批次(OK1~OK3)進行加速老化試驗后測量電容容值的變化情況。

 

 

在老化試驗后,取OK1~OK2進行開封觀察。

觀察結(jié)果顯示:老化試驗后電容芯子都呈焦黃色,與NG1芯子顏色接近,且OK1也發(fā)現(xiàn)有與NG1接近的黑點,只是存在程度上的差異。

 

 

老化試驗顯示:電容在使用一段時間后會出現(xiàn)容值衰減及芯子變黑的現(xiàn)象。

 

結(jié)論

 

電容失效的直接原因為電容內(nèi)部發(fā)生了腐蝕反應(yīng),導(dǎo)致電容內(nèi)部發(fā)熱,內(nèi)部壓力增大及電解液干枯。根本原因為電容內(nèi)部存在腐蝕性元素。

 

建議:

1、DPA(破壞性物理分析)

通過X射線、SEM等非破壞性檢測初步檢查外觀與結(jié)構(gòu),隨后進行機械開帽與解剖,深入檢查電解液、電解紙/膜及引腳焊接,精準定位失效源頭如干涸、短路或斷路有助于提升產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。

 

2、電路設(shè)計排查

需確認電容選型符合設(shè)計要求,包括容量、耐壓及ESR等,并優(yōu)化布局與連接,確保信號與電源穩(wěn)定,同時關(guān)注熱環(huán)境,防止過熱影響性能。

 

3、失效分析和可靠性評價

通過系統(tǒng)檢測、分析和測試,確定其失效原因、模式和機理,從而提出改進措施,改善產(chǎn)品質(zhì)量。

 

4、環(huán)境控制

控制存儲和使用電容器的環(huán)境條件,如溫度、濕度等,以延長電容器的壽命。

 

總之,電解電容失效的危害是多方面的,需要引起足夠的重視。失效分析在提高電路穩(wěn)定性和可靠性、為產(chǎn)品改進提供依據(jù)、提高產(chǎn)品信譽和市場競爭力以及技術(shù)反饋和進步等方面都發(fā)揮著重要作用。

 

*** 以上內(nèi)容均為原創(chuàng),如需轉(zhuǎn)載,請注明出處 ***

 

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