你不會(huì)還不知道FIB的寶藏功能吧！

FIB功能 - 離子束切割

FIB使用的是液態(tài)金屬離子源（鎵離子源）。針型液態(tài)金屬離子源的尖端是直徑約幾微米的鎢針，針尖正對(duì)著孔徑，在孔徑上加一外電場(chǎng)，同時(shí)加熱金屬，液態(tài)金屬浸潤(rùn)針尖，在外加電場(chǎng)作用下形成離子流。離子源發(fā)射出來(lái)的離子經(jīng)過(guò)光闌限束后由聚焦系統(tǒng)聚焦，然后通過(guò)不同孔徑的可變光闌，得到束流可控的離子束。離子束在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)控制下可按特定路徑進(jìn)行掃描，最后經(jīng)過(guò)物鏡入射到樣品表面。

鎵離子束轟擊樣品表面，會(huì)去除樣品表面的原子，從而達(dá)到切割的目的，與此同時(shí)還可以用電子束成像觀察截面。

案例 - FIB在ITO表面缺陷的應(yīng)用

案例背景

通過(guò)FIB的高精度定位切割功能，配合場(chǎng)發(fā)射SEM/EDS，綜合分析ITO截面的尺寸和腐蝕產(chǎn)物元素成分，為產(chǎn)品質(zhì)量提供快捷有效的證據(jù)。

1. 引言

本案例失效樣品為某顯示屏，具體失效位置在前端IC位置，失效現(xiàn)象是ITO出現(xiàn)出現(xiàn)腐蝕導(dǎo)致顯示異常，如下圖所示，需具體分析失效的原因。

圖1. ITO表面缺陷SEM觀察圖

2. 試驗(yàn)與結(jié)果

圖2. 正常位置截面觀察圖

圖3. 失效位置截面觀察圖

圖4. 正常位置EDS測(cè)試譜圖

圖5. 失效位置EDS測(cè)試譜圖

3. 結(jié)論

根據(jù)測(cè)試結(jié)果，對(duì)比失效位置和正常位置的成分，推斷可能是ITO位置有Mg、K、Ca的鹽類(lèi)或堿污染，在使用過(guò)程中環(huán)境中的水分子在濃度梯度作用下滲透進(jìn)ITO位置，形成導(dǎo)電溶液，在通電情況下形成電化學(xué)腐蝕造成的。

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