你是否為解決產(chǎn)品質(zhì)量問題而擔(dān)憂，如：表面存在納米級缺陷卻無法定位切割？微區(qū)電路蝕刻出現(xiàn)錯誤卻找無法實(shí)現(xiàn)電路修改？

FIB輕松解決！

那你了解FIB嗎？美信檢測帶你一探究竟！

聚焦離子束技術(shù)（FIB）

聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束技術(shù)（FIB）利用高強(qiáng)度聚焦離子束對材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、離子注入、切割和故障分析等。

選擇FIB更精準(zhǔn)

1、SEM超高倍率成像

在加速電壓下由電子束發(fā)射的電子會轟擊到樣品表面，由此產(chǎn)生的二次電子與背散射電子會被探頭接收，經(jīng)過處理將圖像顯示在屏幕上，電子成像可以觀測的倍率更大更細(xì)微。

在實(shí)際應(yīng)用中十幾納米的膜層都是可以分辨出來的。

Maps軟件可以理解為一款拼圖軟件，首先我們會依靠軟件將一大塊區(qū)域分成很多的小區(qū)域，并且完成獨(dú)立的拍攝，之后再無縫拼接一起成為一張大圖。

這樣做得好處就是既實(shí)現(xiàn)了高倍率的成像，同時實(shí)現(xiàn)了巨大的視場。

2、離子束成像

離子束具有很高的能量，與電子束差別巨大，離子束成像也具有自己的特性，特別是觀察金屬晶界的時候，具有超高的襯度。

電子成像界限分明但不好辨認(rèn)，離子成像觀察金屬晶界優(yōu)勢明顯。

3、離子束切割

鎵離子束轟擊樣品表面，會去除樣品表面的原子，從而達(dá)到切割的目的，與此同時還可以用電子束成像觀察截面。

當(dāng)樣品垂直與電子束時，可拍攝高倍率的俯視圖和用于離子束的切割。

4、TEM樣品制備

TEM樣品制備的最終目的是為了將我們所需的特征位置減薄，像紙一樣的，但厚度限制在200um以內(nèi)。

當(dāng)紙張蓋住手電筒的光束時，光會透過來，借此我們可以看到紙張背面的文字。

TEM樣品經(jīng)過透射之后，會顯示出內(nèi)部結(jié)構(gòu)，當(dāng)使用超大的電流透射時，清晰度會更高。

5、STEM成像

FIB加裝了STEM探頭，可實(shí)現(xiàn)30Kv下對TEM樣品的透射成像。

電子成像界限分明但不好辨認(rèn) ，STEM透射，內(nèi)部形貌一覽無余。

6、EDS成分分析

EDS能譜儀，是一種分析物質(zhì)元素的儀器，在真空室下用電子束轟擊樣品表面，激發(fā)物質(zhì)發(fā)射出特征x射線，根據(jù)特征x射線的波長，定性與半定量分析元素周期表中B-U的元素，EDS可提供樣品表面之微區(qū)定性或半定量之成份元素分析，以及特定區(qū)域之point、line scan、mapping分析......

裝在FIB上既可以實(shí)現(xiàn)平面的成分分析，也可以實(shí)現(xiàn)截面的成分分析，基于STEM探頭，還可以實(shí)現(xiàn)STEM模式下的EDS分析。

FIB選裝了牛津的EDS，成分分析更準(zhǔn)確。

STEM模式下 EDS超 高分辨 mapping

7、線路編輯功能

依賴于GIS氣體注入系統(tǒng)，F(xiàn)IB機(jī)臺就非常適合于精細(xì)的線路編輯功能。

絕緣沉積

絕緣層增強(qiáng)蝕刻

選擇美信檢測更專業(yè)

我們擁有最新型Helios 5 CX

Thermo Scientific™ Helios™ 5 CX DualBeam 是行業(yè)領(lǐng)先的 Helios DualBeam 系列第五代產(chǎn)品的一部分。它經(jīng)過精心設(shè)計，以滿足科學(xué)家和工程師的需求，結(jié)合了創(chuàng)新的 Elstar™ 電子鏡筒（可實(shí)現(xiàn)較高分辨率成像和較高的材料對比度）與卓越的 Thermo Scientific™ Tomahawk HT 聚焦離子束 (FIB) 鏡筒（用于較快、較容易和較精確的高質(zhì)量樣品制備）。除了極其先進(jìn)的電子和離子光學(xué)系統(tǒng)，Helios 5 CX DualBeam 還采用了一套極先進(jìn)的技術(shù)，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、一致的高分辨率 S/TEM 和原子探針斷層掃描 (APT) 樣品制備，還能夠?qū)O具挑戰(zhàn)性的樣品進(jìn)行高質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。

注意事項(xiàng)

（1）非磁性樣品，結(jié)構(gòu)位置表面可見

（2）樣品材質(zhì)：芯片、非磁性金屬、陶瓷

（3）樣品狀態(tài)：固體、粉末

（4）深度：FIB擅長切10um以內(nèi)的深度，10um以上的深度耗時較長

（5）分辨力：最大可放大50000倍

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