如何在實際生產(chǎn)中快速判斷元器件失效模式，明確失效原因與機理？

如何進行電子元器件失效分析，解決、預防失效現(xiàn)象？

美信檢測將于2021年10月30-31日在深圳市舉辦電子元器件典型失效分析技術(shù)培訓。從實際應用出發(fā)，以豐富的經(jīng)典失效案例結(jié)合理論分析，幫助企業(yè)建立元器件可靠性、失效模式、失效機理、失效分析技術(shù)等基本概念，使技術(shù)人員全面認識了解常用電子元器件的各類典型失效模式與機理，掌握失效分析思路與方法，在實際生產(chǎn)活動中快速判斷產(chǎn)品失效模式，查找失效原因與機理、有針對性的提出預防與解決措施，全面提升企業(yè)失效分析技術(shù)能力，提升產(chǎn)品質(zhì)量可靠性、改進生產(chǎn)工藝。

培訓特色

講師經(jīng)驗

授課講師作為全國半導體器件標準化技術(shù)委員會委員、首席IC故障分析專家，具有十幾年元器件失效分析經(jīng)驗，授課內(nèi)容著重于企業(yè)實踐技術(shù)和學員的消化吸收效果。課程面向設計生產(chǎn)實際，針對具體問題，以豐富詳實的案例詳解結(jié)合理論分析，幫助學員與企業(yè)深刻掌握電子元器件失效分析技術(shù)與方法。

課程內(nèi)容

內(nèi)容包含失效分析技術(shù)、各類電子元器件的結(jié)構(gòu)、原理、工藝流程與關(guān)鍵參數(shù)、不同失效模式與機理，以典型失效案例分析為主，重點講述失效分析技術(shù)與思路。

企業(yè)內(nèi)訓

該課程接受企業(yè)內(nèi)訓或咨詢服務，詳情可聯(lián)系手機13392891259進行咨詢。學員也可在培訓前將遇到的各種失效分析技術(shù)難題反饋給講師，講師將在培訓現(xiàn)場詳細解答。

課程大綱

1. 失效分析技術(shù)
  1.1 失效分析的基本概念
  1.2 失效分析的基本原則
  1.3 失效分析的作用
  1.4 失效分析技術(shù)
  1.5 失效分析注意事項
  1.6 破壞性物理分析技術(shù)

2. 阻容器件的典型失效機理及案例
  2.1 電容基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式及案例
    2.1.1 電容結(jié)構(gòu)、原理及制程工藝
    2.1.2 關(guān)鍵參數(shù)及特性
    2.1.3 主要失效模式與機理分析及其預防
      -物料缺陷（介質(zhì)層存在孔洞、介質(zhì)層分層、電極結(jié)瘤與電極短路、端電極缺陷）
      -熱應力
      -機械應力（沖擊斷裂、彎曲斷裂）
      -可靠性失效金屬離子遷移（金屬離子遷移、介質(zhì)層老化）
    2.1.4 典型失效案例分析
  2.2 電阻基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式及案例
    2.2.1 電阻結(jié)構(gòu)與工藝流程
    2.2.2 厚膜電阻失效模式與失效機理分析
      -電阻硫化失效
      -片式電阻采用手工補焊工藝導致失效
      -應力失效
      -電阻燒毀
  2.3 電感基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式及案例
    2.3.1 疊層片式電感結(jié)構(gòu)、工藝流程與關(guān)鍵參數(shù)
    2.3.2 電感主要失效模式與失效分析方法
    2.3.3 典型失效案例分析

3. 光電器件的典型失效機理及案例
  3.1 光耦/感光傳感器基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式
  3.2 LED基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式
    3.2.1 LED工作機理與結(jié)構(gòu)
    3.2.2 典型失效模式與機理
      -芯片失效
      -封裝失效（分層、工藝不良、腐蝕、銀遷移、鍵合）
      -內(nèi)應力失效（支架設計、熱應力、濕應力、收縮應力）
      -電應力失效
      -裝配失效

4. 繼電器和連接器的典型失效機理及案例
  4.1 繼電器分類情況與基本參數(shù)
  4.2 典型失效模式與案例分析
  4.3 連接器的結(jié)構(gòu)組成、材料選擇與主要規(guī)格
  4.4 典型失效模式與案例分析

5. 分立器件的典型失效機理及案例
  5.1 分立器件的原理和結(jié)構(gòu)
  5.2 分立器件的應用與可靠性
    5.2.1 二極管
      -過壓擊穿
      -二極管過熱/過功率燒毀
      -二極管瞬態(tài)炸裂
    5.2.2 MOS管
      -MOS管的開關(guān)應用
      -MOS管緩啟動應用
  5.3 典型失效模式與案例分析
    5.3.1 FET燒毀
    5.3.2 MOS燒毀
    5.3.3 PNP開關(guān)晶體管開路
    5.3.4 MOS間歇性失效
    5.3.5 晶體管模封體開裂失效
    5.3.6 過壓擊穿
    5.3.7 Leadframe不平整導致鍵合缺陷
    5.3.8 MOS管鍵合異常導致柵源極漏電

6. 集成電路的典型失效機理及案例

講師介紹

崔風洲，美信咨詢副總經(jīng)理（美信檢測子公司）。工學碩士，畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)大學材料物理與化學專業(yè)；全國半導體器件標準化技術(shù)委員會委員、IPC620專家組成員 、首席IC故障分析專家 、中國機械工程學會失效分析分會失效分析專家。具有15年以上的規(guī)模集成電路分析經(jīng)驗，先后在多家跨國公司從事IC設計、封裝生成、成品組裝后失效分析和技術(shù)管理工作，尤其擅長芯片功能失效的定位，故障激發(fā)方法的設計，對各種失效模式和機理有其深刻的見解。

培訓詳情

培訓時間：2021年10月30-31日

培訓地點：深圳市寶安區(qū)石巖街道北大科創(chuàng)園A1二樓會議室

培訓費用：3600元/人（費用包含培訓、教材（彩色印刷限量版教材）、結(jié)業(yè)證書、發(fā)票等費用，培訓期間提供中午工作餐。晚餐、住宿及其他費用自理。）

報名方式：識別下方二維碼報名，或者聯(lián)系手機13392891259。

聯(lián)系方式

聯(lián)系人：劉久銘

電話：13392891259

電子郵箱：liujiuming@mttlab.com

固話：0755-36606281