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韓國開發(fā)透明電極材料新技術(shù) 克服ITO缺點

2019-10-17  瀏覽量:1643

CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊,韓國研發(fā)出一種可替代對日依賴度高達70%的透明電極材料制程技術(shù),期待以更優(yōu)秀的性能材料實現(xiàn)在IT產(chǎn)品核心零部件的國產(chǎn)化。

 

10月16日韓國生產(chǎn)技術(shù)研究院納米光學融合技術(shù)Yoon Changhun博士團隊表示開發(fā)出一種在導電高分子上照射激光提升導電性能的制程技術(shù),技術(shù)可應用為透明電極材料。傳統(tǒng)的透明電極普遍采用ITO,對日本進口的依賴度高達70%。除此之外,ITO雖然導電性優(yōu)秀,但彎曲折疊時十分易碎。為此,也有很多相關(guān)與克服此種難題的新一代透明電極研發(fā)競爭。

 

而本次研發(fā)團隊利用一種塑料材質(zhì)的導電高分子??呻S意變換形態(tài),施加外部壓力也不會碎裂,可克服ITO的缺點。但最大的問題點為導電性能僅為ITO的千分之一,就算采用化學添加劑也無法媲美ITO的導電性能。研發(fā)團隊在導電高分子'PEDOT:PSS'透明電極上照射1064納米波長的紅外線,使得PEDOT裸露出來以提升導電性能。PEDOT:PSS透明電極是PSS保護皮包裹導電PEDOT的一種材料,照射激光時可以讓PEDOT裸露,隨之導電性也提升。

 

本次成果是首個以物理處理方式實現(xiàn)ITO薄膜水平的導電性能的案例。簡單的后段制程即可實現(xiàn),有助于節(jié)省制造成本。同步還可以激光照射在透明電極上繪制Pattern。

 

Yoon Changhun博士表示:是一種偶然機會發(fā)現(xiàn)激光照射后導電高分子的阻抗下降的現(xiàn)象,并以此為契機研發(fā)出相應成果。此制程技術(shù)未來可應用于柔性顯示面板和穿戴、折疊太陽能板制作等領域。

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