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錫須的危害與類型

2017-04-07  瀏覽量:4646

劉強(qiáng)

(深圳市美信檢測(cè)技術(shù)股份有限公司,深圳寶安,518108)

 

本文為美信檢測(cè)原創(chuàng)文章,未經(jīng)允許,禁止私自轉(zhuǎn)載,尤其是不注明出處的非法刊登及相關(guān)商業(yè)用途。版權(quán)所有,違者必究!

 

摘要:本文內(nèi)容涉及錫須的危害及類型、影響錫須生長(zhǎng)的因素、錫須生長(zhǎng)加速實(shí)驗(yàn)方法、錫須長(zhǎng)度的測(cè)量方法等幾個(gè)方面。

 

關(guān)鍵詞:電子元器件;無鉛技術(shù);錫須;晶須

 

1 引言

錫須是在純錫或錫合金鍍層表面會(huì)自發(fā)生長(zhǎng)出來的一種細(xì)長(zhǎng)形狀的錫的結(jié)晶。在電子線路中,錫須會(huì)引起短路,降低電子器件的可靠性,甚至引發(fā)電子器件故障或失效。

 

在1959年Arnold曾發(fā)現(xiàn)向錫中添加一定量的鉛(即Sn-Pb合金)可以減小錫須的生長(zhǎng)傾向,但是鉛是一種有毒的重金屬,主要損傷人類的神經(jīng)系統(tǒng),且電子產(chǎn)品中焊料用鉛在技術(shù)上難以回收。出于環(huán)保、人類自身健康的考慮,我國(guó)以及日本、歐盟、美國(guó)等國(guó)家或地區(qū)相繼出臺(tái)相關(guān)法規(guī)或法令明文限制或禁止在電子電氣設(shè)備中使用鉛,使電子產(chǎn)品無鉛化。電子行業(yè)無鉛化的趨勢(shì),意味著電子工業(yè)中最廣泛應(yīng)用的Sn-Pb焊料成為歷史,同時(shí)廣泛應(yīng)用的Sn-Pb鍍層也將被新的金屬或合金所取代,作為可能替代的純Sn、Sn-Bi、Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Ag-Cu都被研究過,它們均有潛在的錫須自發(fā)生長(zhǎng)問題。

 

2 錫須的危害及類型

1951年,Compton和Arnold發(fā)現(xiàn)錫須會(huì)導(dǎo)致電路短路,并導(dǎo)致電器失效,這一問題引發(fā)人們對(duì)錫須進(jìn)行了長(zhǎng)期深入而廣泛的研究。

 

錫須的危害在于其可能連接到其它線路上,并導(dǎo)致電氣短路,斷裂后落在某些移動(dòng)及光學(xué)器件中引起這些器件的機(jī)械損害,處于相鄰導(dǎo)體之間可能產(chǎn)生弧光放電,燒壞電氣組件等。由于錫須通常在電鍍后每年以0.03-0.9mm速率生長(zhǎng),在一定的條件下,生長(zhǎng)速率可能增加100倍甚至更高。因而會(huì)對(duì)產(chǎn)品的可靠性造成潛在的危害比較大。

 

錫須導(dǎo)致的失效形式主要有四種:

(1)在低電壓下,由于電流比較小,錫須可以在臨近的不同電勢(shì)表面產(chǎn)生穩(wěn)定持久的短路;

(2)在高電壓下,由于電流足夠高而超過錫須的熔斷電流時(shí)(通常為30mA),可以熔斷錫須從而導(dǎo)致瞬時(shí)短路;

(3)由錫須短路導(dǎo)致金屬蒸發(fā)放電,在航天器真空環(huán)境中,可誘發(fā)一個(gè)穩(wěn)定的等離子電弧,并導(dǎo)致電子設(shè)備的迅速毀壞;

(4)在震動(dòng)環(huán)境中,錫須會(huì)脫落或折斷,它不但會(huì)引發(fā)上述的電路短路,也可造成精密機(jī)械的故障或損壞。

 

錫須可以呈現(xiàn)各式各樣的形態(tài),如直線型、彎曲、扭結(jié)、環(huán)形等;其截面也形狀各異,有星形、帶形、不規(guī)則多邊形以及花形等(見圖1~ 5);錫須表面一般有縱向的條紋或者凹槽,也有錫須表面比較光滑,其長(zhǎng)度從幾μm、幾十μm、到幾百μm不等,甚至達(dá)到數(shù)毫米。錫須多從錫鍍層表面上萌生并生長(zhǎng),文獻(xiàn)中報(bào)導(dǎo)的多數(shù)研究工作也多集中于此,近年來也有一些報(bào)道在大塊錫基合金表面發(fā)現(xiàn)有錫須生長(zhǎng)。

 

錫須觀察與測(cè)量 錫須觀察與測(cè)量
圖1 直線型(Filament Whisker)錫須掃描電鏡圖片 圖2 彎折型(Kinked Whisker)錫須掃描電鏡圖片
錫須觀察與測(cè)量 錫須觀察與測(cè)量
圖3 卷曲型(Spiral Whisker)錫須掃描電鏡圖片 圖4 圓柱型(Column Whisker)錫須掃描電鏡圖片
錫須觀察與測(cè)量  
圖5 小丘型(Hillock Whisker)錫須掃描電鏡圖片  

 

3 影響錫須生長(zhǎng)的因素

影響錫須生長(zhǎng)的因素很多,主要包括應(yīng)力、金屬間化合物、鍍層晶粒大小與取向、基體材料、鍍層厚度、溫度及環(huán)境、電鍍工藝、合金元素、輻射等。

 

到目前為止,工業(yè)界尚未找到完全能防止錫須生長(zhǎng)的方法,但是,由于錫須對(duì)電子產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性存在著實(shí)際的威脅,目前工業(yè)界最為關(guān)注的是如何采取有效的措施能夠抑制錫須的生長(zhǎng)。但是隨著電子產(chǎn)品無鉛化進(jìn)程的推進(jìn),Sn-Pb合金鍍層已不再可用,有必要尋求其它有效抑制錫須生長(zhǎng)的方法。

 

4 錫須生長(zhǎng)加速實(shí)驗(yàn)方法

評(píng)估錫須生長(zhǎng)傾向最簡(jiǎn)單的方法就是在室溫下自然存放,但這個(gè)方法很費(fèi)時(shí)。因?yàn)殄a須生長(zhǎng)是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)期的過程,要想研究錫須生長(zhǎng)行為,利用短期試驗(yàn)來評(píng)估錫須生長(zhǎng)傾向就必須探尋合適而有效的錫須生長(zhǎng)的加速實(shí)驗(yàn)方法。

 

4.1 高溫高濕

高溫高濕環(huán)境是評(píng)估錫須生長(zhǎng)趨勢(shì)的一種重要手段,不過控制參數(shù)還不一致,表1是不同的測(cè)試參數(shù),在多數(shù)情況下,這種條件下錫須生長(zhǎng)較快,因此可以定量評(píng)估錫須的生長(zhǎng)趨勢(shì),但是由于高溫高濕環(huán)境可能引起的鍍層腐蝕,這種加速生長(zhǎng)試驗(yàn)與實(shí)際工作環(huán)境有一定差別。

 

錫須觀察與測(cè)量

表1 參考JESD201A不同樣品及不同等級(jí)錫的須測(cè)試條件

 

4.2 高溫存儲(chǔ)

通過適當(dāng)提高溫度來加速錫須的生長(zhǎng),目前一般認(rèn)為50~60℃是錫須生長(zhǎng)的最快的溫度。 但也有一些不同的觀點(diǎn)和實(shí)驗(yàn)證據(jù)。目前NEMI(美國(guó)電子制造促進(jìn)會(huì))建議在55℃和85℃下存放,并推薦用這種方法加快錫須生長(zhǎng)。它的優(yōu)點(diǎn)是實(shí)驗(yàn)過程控制參數(shù)相對(duì)較少,實(shí)驗(yàn)費(fèi)用也較低。

 

4.3 溫度循環(huán)

在溫度循環(huán)(Thermal Cycling)條件下,錫須可加速生長(zhǎng),其具體原因還不清楚,有一種基于應(yīng)力的理解是鍍層與基體之間的熱膨脹系數(shù)CTE (coefficient of thermal expansion)失配造成的內(nèi)應(yīng)力加速錫須生長(zhǎng)。目前很多單位,包括一些軍工標(biāo)準(zhǔn)均把冷熱溫度循環(huán)作為評(píng)估錫須生長(zhǎng)趨勢(shì)的首要加速實(shí)驗(yàn)方法之一。

 

4.4 通電加速

建議采用通大電流的方法來加速錫鍍層錫須的生長(zhǎng)或采用脈沖電流加快錫須的生長(zhǎng)。目前這一方法的微觀機(jī)制還不清楚,一種定性的解釋是物質(zhì)內(nèi)部的原子在電流作用下定向移動(dòng),這一過程大大地加快了錫鍍層中原子擴(kuò)散的速度,導(dǎo)致加速錫須的生長(zhǎng)。應(yīng)用通大電流加速錫須生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)在于可以通過改變電流大小和脈沖時(shí)間來定量評(píng)估錫須生長(zhǎng)傾向。

 

5 錫須長(zhǎng)度的測(cè)量方法 

參考JESD 201A-2008 Environmental Acceptance Requirements for Tin Whisker Susceptibility of Tin and Tin Alloy Surface Finishes中的規(guī)定測(cè)量其長(zhǎng)度[1](如圖6)。

 

錫須觀察與測(cè)量

圖6 參考JESD201A中錫須測(cè)量方法

 

6 討論

(1)錫須自發(fā)生長(zhǎng)是一種自然現(xiàn)象,已經(jīng)研究多年,電子產(chǎn)品無鉛化的趨勢(shì),使得無鉛鍍層自發(fā)生長(zhǎng)錫須問題再次成為工業(yè)界面臨的亟需解決的重大問題。

(2)錫須形貌具有多樣性,控制錫須形貌的因素目前還不清楚。 

(3)影響錫須生長(zhǎng)的因素很多,包括應(yīng)力大小、金屬間化合物、鍍層晶粒大小及擇優(yōu)取向、基體材料、鍍層厚度、溫度及環(huán)境、電鍍工藝、合金元素等。

(4)加快錫須生長(zhǎng)是研究和評(píng)估錫須的重要一環(huán),目前有多種方法和標(biāo)準(zhǔn),如高溫高濕、溫度循環(huán)、高溫存儲(chǔ)、通電加速,但是還沒有達(dá)成統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。

 

7 參考標(biāo)準(zhǔn)

[1] JESD201A-2006 Environmental Acceptance Requirements for Tin Whisker Susceptibility of Tin and Tin Alloy Surface Finishes.

 

簡(jiǎn)介

MTT(美信檢測(cè))是一家從事材料及零部件品質(zhì)檢驗(yàn)、鑒定、認(rèn)證及失效分析服務(wù)的第三方實(shí)驗(yàn)室,網(wǎng)址:m.tywhcyw.com.cn,聯(lián)系電話:400-850-4050。

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